【电路设计】LDO反向电压保护电路-KIA MOS管
对于LDO而言，大家都知道它是利用晶体管充当可调电阻器分压实现目标电压的输出，有人会说，那LDO的输出电压肯定会低于输入电压，那就没必要设计反向电压保护电路了；
这主要是考虑到当输入电源断开的瞬间，如果LDO的输入电压的下降速度远高于LDO的输出电压下降速度的时候，比如LDO输出端有容性大负载时，很可能会出现输出的电压高于输入电压，这样有可能造成损坏LDO。
今天我们将来讲解一下LDO反向电压保护电路。
反向电压保护电路
1.串联二极管
串联反向二极管是最常见的一般反压保护方法，缺点在于，正向压降的存在会导致对输入输出压差的要求提高，特别是低压差的应用中，也就是说输入电压和输出电压本来差的就不多；
如果压差小于二极管的导通压降，那这种方案就是不可行的，需要注意的是二极管的正向导通电流能力要大于最大输出电流，反向耐压要大于最大电源电压。
2.并联肖特基二极管
上一个方案可以采用普通二极管，具体和输出电压输出电压压差有关，但是本方案必须采用并联肖特基二极管保护，这是肖特基二极管正向压降比较低，其实就相当于当反压的情况发生时，由于肖特基二极管导通压降更低，电流主要走这里流走，而不会损坏LDO。
同时该方法不会增加LDO的电压降，不会有输入端串联二极管的局限性。
当然除了一些加外部器件进行反压保护之外，还有一些LDO内部集成了反向电压保护电路，比如内部背靠背结构，或者把晶体管的bulk区接地，这样就不会出现体二极管，所以我们要注意看LDO规格书，不要重复设计。
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