在强反型状态下饱和区中的工作
小信号参数的值因MOS晶体管的工作区域而变化。假定MOS晶体管处于VGS比阈值电压VT高得多的强反型状态，而且工作在饱和区，求这种状况下的小信号参数。
应用第1章的式(1.18)，可将跨导gm表示如下：
在能够疏忽沟道长度调制效应的状况下，得到
这个跨导gm能够用漏极电流ID表示为
也能够用漏极电流ID和栅极-源极间电压VGS表示为
体跨导gmb能够由下式求得：
由式(1．18)和式(1.20)，能够分别导出
所以得到
应用式(1.18)，能够将漏极电导表示为
应用这些小信号参数，能够将小信号漏极电流id表示为下式：
CMOS模仿电路中主要运用的下作区域是强反型的饱和区。表2.1列出这个工作区域中的小信号参数。
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