MOSFET应用-缓冲电路种类介绍-KIA MOS管
缓冲电路的种类
缓冲电路分为由电阻、线圈和电容器等被动部件组合的电路，和包含半导体元器件的主动电路。
为了更好地发挥其的效果，必须将这些缓冲电路尽可能布局在在开关元件的附近。
a. CSNB缓冲电路零件数目少，但必须连接到桥式结构的上部和下部之间，因此缺点是线路会变得较长，因此通常不是用分立元器件，而是多用2合1 的分立元器件模块。
b. RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn ON 时CSNB 中积存的全部能量均由RSNB 消耗掉。
因此，当开关频率变高时，RSNB 所消耗的电力可能会变为数W，而CSNB 很难很大，所以抑制尖峰的效果也会变得有限。此外，RSNB 的尖峰吸收能力有限，因此抑制效果也会受限。
c. RCD 缓冲电路的RSNB 消耗的电力与(b)相同，但因为只经由二极管吸收尖峰，比起(b)的吸收效果高、更实用。
但是，需要注意使用的二极管的恢复特性，因为吸收尖峰时的电流变化大，需要极力减少缓冲电路的配线电感。另外，如果将RSNB 与CSNB 并联，在动作上也是相同的。
d. 非放电型RCD 缓冲电路的RSNB 只消耗CSNB 所吸收的电压尖峰能量，CSNB 所积蓄的能量不会每次开关都充分释放出来。
因此，即使开关频率加快，RSNB 的消耗功率也不会变得很大，可以将CSNB 增大，大幅提高电路的抑制效果。但样线路布局变得复杂，如果不是4 层以上的基板，布线会极为困难。
如上所述，这里介绍的缓冲电路各有长短，需要根据电源电路结构和转换功率容量选择最佳的缓冲电路。
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