STW21N150 1500V 14A超结MOSFET电源应用-KIA MOS管

STW21N150描述

这种非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用MDmesh设计的? K5技术基于创新的专有垂直结构。其结果是，对于需要高功率密度和高效率的应用，导通电阻和超低栅极电荷显著降低。

STW21N150特征

行业最低RDS（on）x面积

行业最佳品质因数（FoM）

超低栅极电荷

100%雪崩测试

齐纳保护

STW21N150 1500V MOSFET

STW21N150兼备超结技术优点与1500V漏源（drain-to-source）击穿电压（breakdown voltage）的晶体管，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。

STW21N150 1500V 14A超结MOSFET瞄准计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是最大限度减少断电停机时间的关键要素，电焊、工厂自动化等工业自动化应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高，超结MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的最佳选择。

单位面积同态电阻（Rds(on)）和栅电荷量（Qg）均创市场最低，并拥有业界最佳的FoM（质量因数）。是时下主流电源拓扑的理想选择，包括标准准谐振（quasi-resonant）有源钳位反激式转换器以及LLC 半桥式转换器，均需要宽输入电压、高能效（高达96%）以及输出功率近200W的电源。其最大漏源电流达到14A，通态电阻仅为0.9Ω；采用TO-247封装。