超级结MOSFET开关速度、导通损耗解决-KIA MOS管

超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件而开发的，该技术已用于改善导通电阻与击穿电压之间的制衡。采用超级结技术有助于降低导通电阻并提高MOSFET的开关速度。但随着MOSFET开关速度的加快，封装中的源级连接电感产生反电势，开始对开关速度产生不利的影响，导通损耗随之变大。

通过TO-247-4L封装来解决这些问题：

采用TO-247-4L封装的超级结MOSFET可以解决这一问题。4引脚TO-247-4L封装具有栅极驱动回路的开尔文源极连接，可以降低内部源级连接电感的影响。因此，超级结MOSFET与4引脚TO-247-4L封装组合是高速应用的理想之选。

利用仿真技术分析TO-247-4L封装的机制

利用SPICE仿真技术分析4引脚TO-247-4L封装的机制。经验证，3引脚TO-247封装中产生的反电动势VLS并未在4引脚TO-247-4L封装中产生。4引脚TO-247-4L封装的栅极开关速度比3引脚TO-247封装的栅极开关速度快。因此，4引脚TO-247-4L封装有助于提高MOSFET开关速度和降低导通损耗，关断后还有助于抑制栅极振荡。

我们采用了相同的MOSFET器件模型对4引脚TO-247-4L封装和3引脚TO-247封装进行仿真。将源极引线分成两部分，然后将这两部分分别连接至栅极和漏极，从而对4引脚TO-247-4L封装进行建模，下面是3引脚TO-247封装和4引脚TO-247-4L封装的仿真模型。

TO-247-4L封装有助于提高MOSFET开关速度

利用仿真技术验证由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。

图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。该电压降低了通过栅极和源极的电压。因此，如3引脚封装的VGS波形所示，导通后栅极电压下降，降低了导通速度。而在4引脚封装中，通过MOSFET的VGS电压几乎等于VDRV。因此，与3引脚封装相比，4引脚封装更有助于提高MOSFET开关速度。

TO-247-4L封装可以降低导通损耗

我们通过仿真和实际测量数据还验证了使用TO-247-4L封装有助于降低导通损耗。下图显示了通过仿真和实际测量得出的漏极-源极电压（VDS）和漏极电流（ID）。根据使用3引脚和4引脚模型得出的仿真结果推断，4引脚封装的开关速度更快。

此外，我们还借助实际测量结果对具有同样额定电流的3引脚封装TK62N60X和4引脚封装TK62Z60X进行了对比。结果证实，4引脚封装比3引脚封装的开关速度更快。导通损耗因提高开关速度降低了19%。

关断TO-247-4L封装有助于抑制栅极振荡

关断TO-247-4L封装有助于抑制栅极振荡TO-247-4L封装除了可以降低导通损耗之外，关断后还有助于抑制栅极振荡。下图显示仿真结果，其展示MOSFET关断时的VGS波形，VGS指4引脚TO-247-4L封装电路中A和B间的电压，4引脚封装比3引脚封装的栅极振荡幅度更小。

利用仿真技术分析4引脚TO-247-4L封装的机制并验证，3引脚TO-247封装中产生的反电动势并未在4引脚TO-247-4L封装中产生，4引脚TO-247-4L封装的开关速度快，可以使导通损耗降低19%。仿真结果还显示，采用4引脚TO-247-4L封装可以抑制栅极振荡。

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