【电路分享】PMOS管构建电源延时供电电路-KIA MOS管
PMOS管构建电源延时供电电路
图1的延时时间通过C250,C251,R90来调整，VBUS断开后利用C250,C251储存的电压，来给Q2的栅极提供高电平，使Q2暂时无法导通。随着C250,C251的电压逐渐降低，Q2的VGS满足Q2导通，VCC4V0_D有电压。D6用于防止C250上的电压通过其他电路泄掉。
图2的延时时间通过C252,C253，R83来调整。VBUS接通时，由于电容C252,C253两端的电平无法突变，所以上电瞬间Q11的基极电压等于VBUS，而Q11的发射极被R106拉低，所以Q11导通，Q3的栅极等于VBUS -Q11的Vce≈4.7V。
从而使Q3无法导通。随着C252,C253逐渐充电，Q11基极电压会被逐渐拉低。当充电至Q11无法导通时，Q3.G被R106拉低，从而使Q3导通。D5用于VBUS下电时快速泄掉C252,C253的残压，如果不快速泄掉，会影响第二次的USB识别。
另外Q2,Q3需要用VTH较大的管子，选用的是AO3407A。之前用的是AO3415A，VTH较小，导致延时时间很小。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
