VMOS的串联

串联(SeriesConnection)是为理解决电压规格不够的问题，与VMOS的并联相似，我们这里所说的电压规格不够用，指的是即使是采用多管电路拓扑也难以满足需求时，如全桥、三相全桥等电路拓扑。与VMOS并联稍有不同的是，多电平变换应该优先于多管（模块）的串联应用。

在买践应用上，串联与并联一样会明显降低功率开关的外关速度，使之适用的工作频率明显降低，以致于降低到IGBT也可以足以顺应的程度；同时高电压规格的VMOS的饱和压降会明显升高，高于1000V时曾经与IGBT相差无几，到2000V左右时，IGBT在本身功耗方面曾经有了优势。

因而，在工程应用上，VMOS的串联应用并不多见，需求更高的电压规格时，1GBT更有优势，目前的单管产品，VMOS产品适用的最高电压根本上还彷徨在1000V左右，而IGBT产品适用的最高电压规格，单管曾经到达了2500～3300V，模块产品曾经到达了4500一6500V的程度。

除非是必需采用VMOS，同时又必需采用很高电源电压时，才会用到VMOS的串联，即使遇到这样的问题，串联也并不是首选的计划，特别是用于工业化产品，首选的计划应该是寻觅替代计划，如采用IGBT、基于VMOS的多电平变换等等。

万不得已采用VMOS串联时，首要的问题是驱动的隔离，除了信号通道需求隔离外，电源也需求隔离。

其次是均压，与VMOS并联时的均流相似，均压是为了让串联的每一个功率开关接受近似相等的电压，假如误差比拟大，就需求增加串联的功率开关的数量，增大电压耐受量的裕量。换言之，两个1000V电压规格的VMOS串联，理论上能够视为2000V电压规格的VMOS，为了保险起见，我们能够将其电压规格定为isoov以至更低。这样做的弊端是，串联功率开关的本身功耗将明显增加，缘由是我们为了取得2000V电压规格的功率开关，本来两个串联就能够了，如今为了增加保险系数，就需求3个串联。

串联需求思索的要素与并联大同小异，额外需求思索的要素是突波吸收电路的参数需求停止挑选，由于它们还同时担当着动态均压的任务。所谓动态均压，就是功率开关高速开关条件下的均压，与此相对应，功率开关出于稳定关断状态时的均压通常称为静态均压，普通用电阻来完成。

由于VMOS的串联很少有实践应用，这里只给出一个2管串联的表示图（图5.88）。至于信号隔离器件的选择，视开关速度和隔离电压的上下而定，光耦有利于进步开关速度，变压器有利于进步隔离电压等级并且高压侧的驱动局部能够自供电，但是主要适用于低速应用。

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