图文详解MOSFET的SPICE子电路模型-KIA MOS管
子电路模型是电路的模型，在模型中含有电路连接信息和器件模型等。
上面是Nch MOSFET和二极管组合的子电路模型示例，其中包括电路连接、MOSFET的器件模型、二极管的器件模型。“模型内部的电路连接”的描述，由实例名、连接引脚以及模型名组成。在模型中描述了MOSFET M1和二极管D1的连接。
实际的子电路模型示例
为了便于理解，前面使用了简易模型进行了说明，下面使用实际的子电路模型来进一步说明。以下是ROHM的Nch MOSFET的子电路模型的电路和电路连接描述。
在前面的示例中，出现了“M1”这个MOSFET的器件模型。明明有器件模型，却出现“MOSFET的子电路模型”，为什么呢？
这是因为器件模型基本上是理想的模型，因此现实的MOSFET特性多使用在MOSFET器件模型基础上基于寄生分量和温度特性等创建的子电路模型。
当然，连接 电源 IC所需的部件并作为电源工作的电路等的子电路模型也有很多，但在这里作为示例的话会过于复杂，因此这里选择以MOSFET的子电路模型为例进行说明。
首先来看从M1到R2的各个连接的描述和电路图的节点编号。描述的含义应该是浅显易懂的。
这个子电路模型的基础—MOSFET M1连接了反馈电容、栅极电阻、体二极管、提供导通电阻Ron温度特性的电阻，作为SPICE模型，所呈现的特性是接近现实MOSFET特性的。
下面是该子电路模型的所有描述。继刚才的连接信息之后是MOSFET、二极管、电阻的器件模型描述，这些组成子电路模型。表格中是各器件模型的参数。
顺便提一下，要想创建出色的SPICE模型（即呈现真实特性的SPICE模型），如何在子电路模型中嵌入这些特性是需要技术诀窍和经验积累的。这取决于模型提供商，因此也需要通过将仿真结果与实际特性进行比较等，来确认真实程度。
与子电路模型的各器件模型参数之间的关系
图中是“其1”中使用的MOSFET子电路模型的结构。从图中可以看出MOSFET的基础模型、二极管、电阻的参数设置会对哪些特性产生实际影响。
下面是各参数和通过仿真获得的特性曲线图。红色字体表示参数和影响。希望通过这些信息能够理解相关的关联性。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
