SiC MOSFET短路保护理解分析-KIA MOS管
SiC MOSFET短路保护
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。
2、IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。
3、短路后SiC MOSFET 由线性区（linear region）进入饱和区（saturation region），拐点电压非常高，因此Id电流增加的同时，Vds随着上升，进一步扩大短路损耗。
4、IGBT退饱和保护机理，如下图，正常工作Cblk 电压会被嵌位到Vce+Vd，当IGBT进入退饱和拐点后，Vce迅速上升，Dhv由导通变为截止，电流源迅速对Cblk充电，抬高电压DESATFault 置位。
IGBT 退饱和电路
5、由于SiC MOSFET的“退饱和拐点”非常高，Vds的响应速度非常慢，一般不采用Vce电压进行“退饱和”操作，通过采样电阻电流采样，精度高。但是损耗大，在小电流应用中使用。
6、对于大电流应用，倾向于带有SENSE PIN的MOSFET进行电流采样，Rs上电流和主管上的电流存在一定的比例关系，从而减小采样电阻上电压。
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