MOSFET驱动器的功率损耗三个公式-KIA MOS管
MOSFET驱动器的功耗
对MOSFET的栅极进行充电和放电需要同样的能量，无论充放电过程快或慢（栅极电压的上升和下降）。因此，MOSFET驱动器的电流驱动能力并不影响由MOSFET栅极的容性负载产生的驱动器功耗。
MOSFET驱动器的功耗包含三部分：
1.由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。
2.由于MOSFET驱动器吸收静态电流而产生的功耗。
3.MOSFET驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。
从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。
为了计算公式1的值，需要知道MOSFET栅极电容。MOSFET栅极电容包含两个电容：栅源电容和栅漏电容（密勒电容）。
通常容易犯的错误是将MOSFET地输入电容（CISS）当作MOSFET总栅极电容。确定栅极电容的正确的方法是看MOSFET数据手册中的总栅极电容（QG）。这个信息通常显示在任何MOSFET的电气特性表和典型特性曲线中。
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