MOSFET的寄生电容 静电容量分析-KIA MOS管
MOSFET的静电容量
在构造上，功率MOSFET都存在寄生电容。MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧化层绝缘，在DS(漏极、源极)间形成PN接合，成为内置二极管构造。
其中，Cgs、Cgd的容量根据氧化膜的静电容量决定，Cds根据内置二极管的接合容量决定。
一般而言，寄生电容与漏极、源极间电压VDS存在一定关系，VDS增加，则寄生容量值减小。在厂家发布的MOSFET规格书上，一般都提供Ciss/Coss/Crss三类容量特性：
容量特性如图2所示，对DS (漏极、源极) 间电压VDS存在依赖性。VDS大则容量值小。
图2: 容量 - VDS 依存性
温度特性
实测例见图(1) ~ (3)所示
关于容量特性的温度依存性几乎没有差异。
图3: 容量温度特性
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