【精选图文】MOS管开关电路实例分享-KIA MOS管
MOS管开关电路实例1
在下图所示的电路中，增强型 N 沟道mos管用于切换简单的灯“ON”和“OFF”（也可以是 LED）。
栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件，因此灯负载要么“打开”，（V GS = +ve），要么处于将器件“关闭”的零电压电平，（V GS = 0V）。
如果灯的电阻负载要由电感负载（如线圈、螺线管或继电器）代替，则需要与负载并联一个“续流二极管”，以保护mos管免受任何自生反电动势的影响。
上面显示了一个非常简单的电路，用于切换电阻负载，例如灯或 LED。但是，当使用功率mos管切换感性或容性负载时，需要某种形式的保护来防止mos管器件受损。驱动感性负载与驱动容性负载的效果相反。
例如，没有电荷的电容是短路的，导致高“涌入”电流，当我们从感性负载上移除电压时，随着磁场崩溃，我们会产生很大的反向电压，从而导致感应绕组中的感应反电动势。
P沟道mos管开关电路实例
在上图我们将 N 沟道 mos管视为开关，mos管放置在负载和地之间。这也允许 mos管的栅极驱动或开关信号以地为参考（低侧开关）。但在某些应用中，如果负载直接接地，我们需要使用 P 沟道增强型 mos管。如下图所示。
P沟道mos管开关电路
在这种情况下，mos管开关连接在负载和正 电源 轨（高端开关）之间，就像我们使用 PNP 晶体管一样。
在 P 沟道器件中，漏极电流的常规流动方向为负方向，因此施加负栅源电压以将晶体管“导通”。
这是因为 P 沟道mos管是“倒置”的，其源极端子连接到正电源+V DD。然后，当开关变为低电平时，mos管变为“ON”，当开关变为高电平时，mos管变为“OFF”。
P 沟道增强型mos管开关的这种倒置连接允许我们将其与 N 沟道增强型 mos管串联连接，以产生互补或 CMOS 开关器件，如上图所示为跨双电源。
MOS管开关电路实例2
这是一个简单的电路，其中 N 沟道增强模式mos管将打开或关闭灯。为了将mos管用作开关，它必须工作在截止和线性（或三极管）区域。
假设设备最初是关闭的。栅极和源极之间的电压，即 V GS适当地设为正值（从技术上讲，V GS > V TH），MOSFET 进入线性区域并且开关导通。这使灯打开。
如果输入栅极电压为 0V（或技术上 < V TH），则mos管进入截止状态并关闭。这反过来会使灯关闭。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
