【精选】图文分析SiC MOSFET高频振荡-KIA MOS管
SiC MOSFET由于开关速度快，在大电流大电压工作条件下，开关瞬态会产生非常高的电流变化率di/dt和电压变化率dv/dt，因此其对功率回路的寄生参数非常敏感，容易产生严重的高频振荡。研究发现，SiC MOSFET的振荡分别发生在开通瞬态的电流上升阶段和电压下降阶段、以及关断瞬态的电压上升阶段和电流下降阶段这四处。
从上述分析可知，无论是电流还是电压，开关瞬态的高频振荡都与寄生参数密切相关，这就需要在实际应用场景中正确选择驱动栅极电阻和外加电容来减小电压电流变化率，或者添加适当的RC阻尼电路等，减小高频振荡的影响。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
