【MOSFET应用】RC热阻模型及热仿真实例-KIA MOS管
RC热阻模型的建立
如果电阻抗Z=电阻R+电抗C一样，热阻抗Zth=热阻Rth+热容Cth；同理，电子领域的电流就等同于热领域中的元件功率；电压值也可以等效为温度值。
具体的等效对应关系如下表：
根据这样的等效关系，我们就可以将元件的热阻抗Zth以电子的R和C来呈现出来，并通过电路仿真的方法求得元件的温升值。
这种模型的等效也是各大MOSFET供应商认可的较快速的评估方法。
基于LTspice的热仿真实例
下面的实例是一个MOSFET的高边开关驱动电路，其中右侧的C1，C2，C3，C4，R4，R5，R6和R7组成的是元件的热阻模型，其中的电容值和电阻值也都是根据供应商给出的模型进行设定的。
将电流源激励B1的值设为作用在元件上的功率值，Vmb1为元件焊接衬底的初始值，当运行LTspice后，电流源B1后的电压值即为元件结合点温度Tj。
综上所示，MOSFET的RC热阻模型为我们元件的设计选型提供较为简单快速的评估方法，将设计的风险降低。
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