MOS管RDS(on)与VGS(th)温度特性图文分析-KIA MOS管
分别找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下导通电阻的正温度特性，阈值电压的负温度特性是什么样的。
下面两张图分别PMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。
下面两张图分别NMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。
可以看出，不管是NMOS还是PMOS，导通电阻RDS（on）都随着温度的升高而增大，阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。
MOS管的导通电阻与其中的载流子迁移率有关，载流子迁移率越慢，导通电阻越大。
MOS管反型层中的电子和空穴迁移率随着温度升高而下降。这是由于温度升高，载流子在沟道中受到的散射几率增加的缘故。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
