集成负载开关、参数、特性详细分析-KIA MOS管
集成负载开关框图
大部分集成负载开关包含四个引脚：输入电压引脚、输出电压引脚、使能引脚和接地引脚。
其内部框图如下：
（1）导通FET是负载开关的主要元件，它决定了负载开关可处理的最大输入电压和最大负载电流。负载开关的导通电阻是导通FET的特性，将用于计算负载开关的功耗。导通FET既可以是N沟道FET，也可以是P沟道FET，这将决定负载开关的架构。
（2）栅极驱动器以控制方式对FET的栅极进行充放电，从而控制器件的上升时间。
（3）控制逻辑由外部逻辑信号驱动。它控制了导通FET和其它模块（如快速输出放电模块、充电泵和带保护功能的模块）的接通和关断。
（4）并非所有负载开关中均包含电荷泵。电荷泵用于带有N沟道FET的负载开关，因为栅极和源极(VOUT)间需要有正差分电压才能正确接通FET。
（5）快速输出放电模块是一个连接VOUT到GND的片上电阻，当通过ON引脚禁用器件时，该电阻导通。这将对输出节点进行放电，从而防止输出浮空。对于带有快速输出放电模块的器件，仅当VIN和VBIAS处于工作范围内时，此功能才有效。
（6）不同的负载开关中还包括其它功能。这些功能包括但不限于热关断、限流和反向电流保护等。
集成负载开关datasheet中的参数
下面列出了负载开关的常见数据表参数和定义。
-输入电压范围(VIN)–这是负载开关可支持的输入电压范围。
-偏置电压范围(VBIAS)–这是负载开关可支持的偏置电压范围。为负载开关的内部模块供电可能需要此参数，具体取决于负载开关的架构。
-最大连续电流(IMAX)–这是负载开关可支持的最大连续直流电流。
-导通状态电阻(RON)–这是在VIN引脚与VOUT引脚间测得的电阻，其中考虑了封装和内部导通FET的电阻。
-静态电流(IQ)–这是为器件的内部模块供电所需的电流量，以VOUT上没有任何负载时流入VIN引脚的电流为测量值。
-关断电流(ISD)–这是禁用器件时流入VIN的电流量。
-ON引脚输入漏电流(ION)–这是ON引脚上施加高电压时流向ON引脚的电流量。
-下拉电阻(RPD)–这是禁用器件时从VOUT到GND的下拉电阻值。
集成负载开关的导通特性
如下图，以TI的TPS22919负载开关为例，电压5V，电流1A，负载电容100μF。
控制的上升时间确保了较低的浪涌电流和输入电压下降，且不需要使用任何外部组件。
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