容易集成化
TTL等双极器件中，如图10. 15所示，相邻的晶体管之间需求隔离，而且要提高电流驱动型器件的集成度，就很难抑止功率耗费和发热现象。
CMOS中，由于闩锁现象／可控硅现象的缘由，需求思索设置恰当的别离寄生双极晶体管的称为防护带（图10. 16）的别离墙／过渡电流吸收带。不过对集成度的影响不大。最近，还开发出不需求防护带的制造技术。而且，由于CMOS的低功耗特性，在发热问题上比双极器件优越，也有利于集成化。
把单位面积(mm2)上集成的晶体管数目叫做集成度。目前集成度超越了1000万个MOS晶体管的系统LSI曾经在数字设备中采用。
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