反激开关电源-高功率密度的USB PD电源实现-KIA MOS管
如何实现高功率密度的USB PD电源
高频（140K-250K近两年最佳工作频率）、软开关拓扑、平面变压器、可调整的频率法则、较小的共模EMI噪声（可以使用较小的共模滤波器，可使用变压器构造抵消EMI）。
拓扑的选择，如下图为常用的反激拓扑。
准谐振反激（QR）在高压输入时候仍有较大开关损耗。而使用零电压开通更适合。如下图。
有源钳位反激。如下图，但是使用Si器件的话功率密度做不大。在第一个谷底开通，高低压频率变化比较大。
全电压范围零电压开通反激。如下图，增加了一个零电压开关的辅助管，产生负电流，将主功率管Coss两端的电压抽到零。
LLC半桥，如下图。效率很高，但不适合宽电压输入输出，不太适合宽压USB PD的设计。
不对称半桥反激，如下图。与LLC类似但是还是反激的架构。通过电感和谐振电容储能，可以适合宽压输入输出。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
