逆变器后级电路常用MOS管KIA13N50H 13A 150V原厂-KIA MOS管
KIA13N50H 13A 150V-描述
KIA13N50H适用于逆变器后级电路，高效优质；KIA13N50H N沟道增强型硅栅功率MOSFET设计用于高电压、诸如高效率开关模式电源的高速功率开关应用，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子灯镇流器。
KIA13N50H 13A 150V-参数
产品编号：KIA13N50
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （连续）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作温度：±150℃
击穿电压温度：0.5/℃
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升时间：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
KIA13N50H 13A 150V-特征
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的45nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
KIA13N50H 13A 150V-封装图
KIA13N50H 13A 150V-规格书
以下为KIA13N50产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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