KIA16N50 16A 500V逆变器电路应用推荐 原厂送样-KIA MOS管
KIA16N50 16A 500V-产品介绍
KIA16N50 功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可以最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适用于基于半桥拓扑的高效开关电源、有源功率因数校正。
KIA16N50 16A 500V-特点
RDS（开）=0.32Ω@ VGS=10V
低栅极电荷（典型45nC）
快速切换能力
指定雪崩能量
改进的dv/dt能力
KIA16N50 16A 500V-参数
产品型号：KIA16N50
工作方式：16A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
漏电流连续：16A
脉冲漏极电流：64A
雪崩能量：853mJ
耗散功率：38.5W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：500V
温度系数：0.6V/℃
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：2200PF
输出电容：350PF
上升时间：170 ns
封装形式：TO-247、TO-220F、TO-3P
KIA16N50 16A 500V-封装
KIA16N50 16A 500V-规格书
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
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