逆变电源热销MOS管KIA20N40H 20A 400V优质国产直销-KIA MOS管
KIA20N40H 20A 400V-描述
KIA20N40H功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能和换向模式。这些器件非常适用于基于半桥拓扑的高效开关电源、有源功率因数校正。
对于储能电源的核心部分逆变电源，选对MOS管就能进一步提升产品质量，降低成本。关于逆变电源电路，我们推荐使用KIA20N40H，KIA20N40H具有低导通内阻，抗冲击能力强，可靠性高的特点，能够高效提升电路品质。
KIA20N40H 20A 400V-特点
RDS（开）=0.20Ω@ VGS=10V
低栅极电荷（典型50nC）
快速切换能力
指定雪崩能量
改进的dv/dt能力
KIA20N40H 20A 400V-封装
TO-3P：是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流（电流10A以上、耐压值在100V以下）在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
TO-220/220F：这两种封装样式的MOS管外观差不多，TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好。
KIA20N40H 20A 400V-参数详情
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
