PN结的击穿特性、伏安特性及电容效应-KIA MOS管
PN结的伏安特性
直接上图：
温度升高时，伏安特性曲线正偏的左移，反偏的下移。
通过图像我们还可以发现，正向电压的压降随温度上高而下降。
PN结的击穿特性
这里介绍的两种击穿都是因为反向电流“过大”而击穿的，分别是“齐纳击穿”和“雪崩击穿”。
1、齐纳击穿
首先，掺杂浓度较高，空间电荷区窄，外加的反向不大时，内电场的电压显著增强，太强的时候就会把共价键里的电子给“拽”出来，形成了大量的空穴对，导致“反向电流”急剧增大。
电流一大，会产生很多热量，在那一瞬间，这个半导体就烧了，冒烟了。
2、雪崩击穿
首先，掺杂浓度较低，空间电荷区宽，内电场也逐渐增大。路过电荷区的少子，会在电场的加速下获得很大的动能，大到能把共价键里的电子给“撞”出来，新出来的载流子也被电场加速，再去“撞”其他的，这样连锁反应，载流子一下子变多了，反向电流也变大了。
电流一大，又一个半导体烧了。
因为电流大，半导体过热烧毁的，造成永久性损坏的击穿，我们又叫它“热击穿”。
PN结的电容效应
我们下面介绍“势垒电容”和“扩散电容”。
1、势垒电容
前面我们介绍到PN结的导电性时说到了正偏和反偏。
正偏时，P、N区的多子流入内电场，有点像电容充电那感觉了；
反偏时，P、N区的多子从内电场离开，还像电容放点的样子。
因此，我们把这种电容效应称为“势垒电容”。
2、扩散电容
PN结外加正向电压时，N区的多子扩散到P区，因为存在距离，所以会形成浓度梯度，P区的多子扩散到N区也是如此，如果增大了正向电压，那么多子扩散增加，依然会存在浓度梯度，同理，减小正向电压也是一样的原理。这种电容的积累与释放也像电容充放电时电荷的运动，这种效应我们称“扩散电容”。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
