5N60场效应管参数600V 5A 5N60场效应管代换 电源应用-KIA MOS管
5N60一款N沟道增强型高压功率MOS管，具有600V高压，可以适用于DC-DC电源转换器中，而目前DC-DC转换器广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携式媒体播放器等产品中。对于各大厂商，选择一款优质品牌的5N60场效应管应用在产品中在市场上就已经赢了一半。
FQP5N60是一款应用于DC-DC电源转换器的国外型号，现国内已有比较优秀的品牌替代型号：KIA5N60。N沟道增强模式的功率场效应晶体管是用KIA半导体制造的专有、平面、DMOS技术。这项先进的技术经过了特别的调整，以使其最小化通态电阻，提供优越的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和换向模式。这些器件非常适合于高效率的开关模式电源供应和电子灯镇流器的基础上的半桥。
分析5N60场效应管型号参数前，先了解下DC/DC转换器，它为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC/DC转换器分为三类：升压型DC/DC转换器、降压型DC/DC转换器以及升降压型DC/DC转换器。根据需求可采用三类控制。
PWM控制型效率高并具有良好的输出电压纹波和噪声。PFM控制型即使长时间使用，尤其小负载时具有耗电小的优点。PWM/PFM转换型小负载时实行PFM控制，且在重负载时自动转换到PWM控制。因此一款好的高压MOS管是对DC-DC电源转换器的保障。
KIA半导体这款5N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于高压H桥PMW马达驱动、AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器。在使用方面是可以匹配型号为FQP5N60的国外场效应管。
这款5N60的特点是5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v，低电荷、低反向传输电容开关速度快。
5N60的主要封装形式：TO-220/TO-220F
产品参数：
耗散功率（pd）：100
漏源反向电压（Vds）：600
栅源反向电压（Vgs）：30
漏极电流（连续）（id）：5
最高结温（Tj），℃：150
上升时间（tr）：42
输出电容（Cd），PF：55
通态电阻（Rds），ohm：1.8
5N60场效应管封装图
5N60场效应管规格书
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