电源优质MOS管KNX4760A 8A 600V TO-220参数资料-KIA MOS管
KNX4760A 8A 600V-产品特征
专业平面新技术
RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V
低栅极电荷使开关损耗最小化
快恢复体二极管
KNX4760A 8A 600V-应用领域
适配器充电器
SMPS电源
液晶面板电源
KNX4760A 8A 600V-封装
KNX4760A 8A 600V-参数
漏源电压:600V
栅源电压:±30V
连续漏电流:8.0A
单脉冲雪崩能量:580MJ
峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns
漏源击穿电压:600V
输入电容:1250pF
输出电容:110pF
反向转移电容:16pF
漏源二极管正向电压:1.5V
连续漏源电流:8A
KNX4760A 8A 600V-规格书
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KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源,也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
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