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电源优质MOS管KNX4760A 8A 600V TO-220参数资料-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2023-07-06 

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电源优质MOS管KNX4760A 8A 600V TO-220参数资料-KIA MOS管


KNX4760A 8A 600V-产品特征

专业平面新技术

RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V

低栅极电荷使开关损耗最小化

快恢复体二极管


KNX4760A 8A 600V-应用领域

适配器充电器

SMPS电源

液晶面板电源


KNX4760A 8A 600V-封装


KNX4760A 8A 600V


KNX4760A 8A 600V-参数

漏源电压:600V

栅源电压:±30V

连续漏电流:8.0A

单脉冲雪崩能量:580MJ

峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns

漏源击穿电压:600V

输入电容:1250pF

输出电容:110pF

反向转移电容:16pF

漏源二极管正向电压:1.5V

连续漏源电流:8A


KNX4760A 8A 600V-规格书

查看及下载规格书,请点击下图。


KNX4760A 8A 600V

KNX4760A 8A 600V

KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源,也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。



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