VCC端串入PMOS管的防反接保护电路分享-KIA MOS管
上篇文章分析了基于 GND 端串入 NMOS 管的防反接电路，本文则对 VCC 端串入 PMOS 管的防反接电路进行分析。相比于以往的防反接电路，MOS 管类型的防反接保护电路，具有低功耗和压降小的优点。
原理图
原理分析
分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接电路”，只不过需要注意 PMOS 管 VGS<0 时，MOS 管开启。
器件分析
分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接电路”，这里 R2 取 1K。
需要注意：
（1）由于 VBAT 端要提供负载的工作电流，因此，要求 PMOS 管的导通内阻比 NMOS 管要更小。一般来说，导通内阻越小，其 Gate 端的结电容就越大，所以 PMOS 管的开关速度就会越慢，因此，要综合考虑。
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