共射、共基放大电路频率特性差异原因分析-KIA MOS管
考虑到三极管的极间寄生电容和电阻，可将三极管的模型化作图所示的电路。
图 考虑到寄生电容和电阻的三级管
共射放大电路上限频率低的根本原因
图 考虑寄生效应的共射放大电路
根据上图所示，三极管的输入电容 Ci 与基极寄生电阻 rb 形成低通滤波器，其中，输入电容 Ci 是(1 + Av)倍的 Cbc 和 Cbe 之和。因此，在高频范围，共射放大电路的放大倍数必然下降。
也可以根据前文电路中采用的三极管的寄生参数，简单计算共射放大电路的上限截止频率。例如，2N3904 的寄生电容为下图所示。
图 2N3904 的寄生电容
再根据低通滤波器的截止频率公式 fc = 1/(2πRC) ≈ 2.5MHz，其中，R 值在 2N3904 中并未找到，暂取 200 欧姆。可以看出，粗略计算的结果与上述仿真的结果基本相符。
因此，共射极放大电路在高频信号作用时放大倍数下降，是由晶体管极间电容和分布电容导致的。
同样，来分析一下共基放大电路上限截止频率高的根本原因。
共基放大电路上限频率高的根本原因
和共射放大电路一样，仍可将三极管的模型化作图所示的电路。
图 考虑寄生效应的共基放大电路
理论上，三极管的输入电容 Ci 与射级电阻 RE 形成低通滤波器，其中，输入电容 Ci 是(Av – 1)倍的 Cce 和 Cbe 之和。
实际上，由于共基放大电路的输入电阻极小（不考虑 RE 时，射级等效于交流接地），远小于输入电容 Ci 的交流阻抗。所以，在一定频率内，即使三极管的输入电容 Ci 与射级电阻 RE 形成低通滤波器，也不会对输入信号产生影响。
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