失效模式
表14.2列出三种失效形式：
①开路失效.
②漏电流／短路失效.
③特性劣化失效在器件制造中产生缘由.
实践上要用电学实验的方法将器件的失效形式别离开是艰难的.
即便①和②可以别离，①与③，②与③通常是同时发生的.
外来因素引起的失效
器件置于超越额定值*规定的运用环境时，会招致劣化、损伤。外来要素能够罗列如下：
(1)组装到基板上时：用户的检查环境、保管环境、静电(ESD：electrostatic dis-charge)、基板装置时器件的固定、装置温度、清洁剂成分等。
(2)装置完成后所加的电压?电流：ESD，插件板实验，电源动摇，噪声，信号的反射?耦合，电容成分的充放电，左近电感成分惹起的电动势等。
外来因素惹起CMOS器件的失效，主要是由过电压或过电流（浪涌电压?电流）惹起的。典型的现象是ESD(Electro Static Discharge，静电放电)）和Latch-up（闩锁）。
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