PIN二极管介绍-PIN光电二极管结构及原理-KIA MOS管
光电二极管是反向偏置工作的PN结二极管，DVD播放器，CD驱动器中经常会使用到它。PIN型光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管，在两种半导体之间的 PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。
在光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的I型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（Intrinsic）半导体，故称I层，因此这种结构成为PIN光电二极管。
I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。
PIN光电二极管图形符号
PIN光电二极管的符号表示与标准pn结二极管的符号表示相同，但二极管上方的向下箭头表示光。
PIN光电二极管结构
PIN光电二极管包括三层-p层，I或本征层和n层。 P层掺杂有三价杂质，N层掺杂有五价杂质。 I层是未掺杂的或非常轻掺杂的。 P端子的作用类似于阳极，N端子的作用类似于阴极。 与普通的PN结二极管不同，PIN光电二极管中本征层的宽度更大。
它可以通过两种方式构造：
平面结构： 在这种类型的结构中，在p层上制造了薄的外延膜。
台面结构： 在这种类型的结构中，已经掺杂的半导体层生长在本征层上。
PIN光电二极管电路图
PIN光电二极管仅在反向偏置时才用作光电检测器。 阳极与电池的负极连接。 电池的正极通过电阻连接到阴极。
PIN光电二极管的工作原理
当向器件施加反向偏压时，耗尽区开始在本征层中扩展。 宽度不断增加，直到达到I层的厚度。
结果，耗尽区变得没有任何移动电荷载流子。 因此没有电流流动。 此时，在耗尽区中没有发生电子-空穴复合。
当光线充足时（ H？ ≥ 半导体的带隙能）进入I区，每个吸收的光子产生一个电子-空穴对。 由于存在于耗尽区中的势垒电场，因此这些对承受强大的力。 该力将两对分开，电荷载流子沿相反方向移动，并产生电流。 因此，光能被转换成电能。
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