1200V碳化硅MOS-KIA10N120V1、KIA20N120V1碳化硅场效应管-KIA MOS管
KIA10N120V1
参数： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
KIA20N120V1
参数： ID(A): 20 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
充电桩-碳化硅MOS管产品特点
1、高频特性 高温特性 高压特性
2、碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍
3、碳化硅肖特基管耐压可达2400V
4、碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻小
充电桩-碳化硅MOS管型号
在这里没有完全列出在充电桩中所用到的MOS管型号、参数及封装，详细了解其他型号请致电KIA半导体。
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Part Numbe
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IF（A）
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VRM（V）
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VF@IF（V）25℃
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Package
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KIA08065V1
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8
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650
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1.8
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TO-220F-2
TO-220-2
TO-247-2
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KIA10065V1
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10
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650
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1.8
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KIA15170V1
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15
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1700
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2
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KIA20065V1
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20
|
650
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1.8
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Part Numbe
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ID（A）
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BVDSS（V）
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Package
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KIA10N120V1
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10
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1200
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TO-220F
TO-220
TO-3P
TO-247
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KIA20N120V1
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20
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1200
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