TVS管击穿电压和钳位电压的关系区别-KIA MOS管
本文就实例分别介绍TVS管的击穿电压和钳位电压的区别。
反向击穿电压VBR（Reverse breakdown voltage）
VBR是通过TVS二极管的反向电压是指TVS保护二极管开启时的电压，从此点开始器件进入雪崩击穿。是在测试的电流IT下测得的。
钳位电压VC（Clamp voltage）
VC是钳位电压，施加规定波形的峰值脉冲电流 IPP 时，TVS 两端测得的峰值电压。在相同IPP下的VC越小，说明TVS的钳位特性越好。TVS的耐脉冲电流冲击能力可以参考IPP ，同型号的TVS，IPP越大，耐脉冲电流冲击能力越强。
以 ON Semiconductor 的 ESDONCAN1 器件为例，ESDONCAN1 是汽车级 CAN 总线收发器的TVS管保护器件。
TVS管的参数：
Vrwm reverse standoff voltage 反向隔离电压
Cd diode capacitance 二极管电容
Ppp peak pulse power 峰值脉冲功率
IPP peak pulse current 峰值脉冲电流
Tj junction temperature 结温
Tamb ambient temperature 环境温度
Tstg storage temperature 储存温度
VESD electrostatic discharge voltage 静电放电电压
IRM reverse leakage current 反向漏电流
VBR breakdown voltage 击穿电压
VCL clamping voltage 钳位电压
根据上图，可以得到如下结论：
击穿电压是电流随电压增加显著变大的电压点
钳位电压是从击穿电压开始到器件能承受的最大电压
TVS管的击穿电压是在非常小的电流下测得的，而钳位电压对应的电流是很大的
再来看 ESDONCAN1 的 spec：
根据上图，可以看出 Vrwm 是 TVS管开始反向工作的起始电压，漏电流为 15nA(typ.)，小于此电压，漏电流会小很多，甚至可以忽略不记；VBR 为 TVS 管的击穿电压，此时 TVS 管的漏电流已经显著增大到 1mA；再随着电压增大，漏电流也会急剧增大，此时 TVS管将电压钳位在 VCL。
另外，从能量的角度来说明一下 TVS管的保护原理：可以将 TVS 管和被保护器件看作是并联关系，TVS 管处于钳位状态时，能量都消耗在了 TVS 管上，从而保护了器件。
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