10n60场效应管参数管脚 10N60场效应管代换-KIA MOS管
600V 10n60场效应管-特点
KIA10N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥到拓扑的电子灯镇流器。在社会的飞速发展中，便携式储能电源的需求自然激增，因此厂家一定要重视产品对MOS管的使用。10n60针对储能电源应用，具有更耐冲击、同等参数雪崩更高的特性，提高效率的同时给产品应用也提供更稳定的保障。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低栅电荷（典型的44nc)
3、快速切换能力
4、雪崩能量指定值
5、增强的dv/dt能力
600V 10n60场效应管-主要参数
产品型号：KIA10N60H
工作方式：9.5A/600V
漏源极电压:600V
栅源电压:±30V
漏电流连续:9.5A/5.7A
峰值二极管恢复:4.5V/ns
结温:+150℃
贮存温度:-55℃至150℃
600V 10n60场效应管-标准封装
600V 10n60场效应管-电路图
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