10n65场效应管参数 储能电源高压MOS管10n65 650V-KIA MOS管
10n65场效应管 650V介绍
KIA10N65H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。10n65场效应管是针对储能电源，有更耐冲击，同等参数雪崩更高的MOSFET。
10n65场效应管 650V特征
RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V
低栅极电荷(典型48nC)
快速交换功能
指定的雪崩能量
改进的DV/DT功能
10n65场效应管 650V封装图
10n65场效应管 650V参数
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