12N60参数代换 12N60场效应管 12N60引脚图TO-220-KIA MOS管
12N60参数代换600V资料
KIA12N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。12N60是针对储能电源，有更耐冲击，同等参数雪崩更高的MOSFET。
12N60参数代换600V-特点
RDS(on)= 0.53Ω @ VGS= 10 V
栅极电荷低(典型为52nC)
快速交换能力
指定的雪崩能量
改进的DV/DT功能
12N60参数代换600V-封装图
12N60参数代换600V-参数
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
漏电流连续：12A
脉冲漏极电流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：231W
热电阻：62.5℃/V
漏源击穿电压：600V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1850PF
输出电容：180PF
上升时间：90ns
封装形式：TO-220、220F
12N60参数代换600V-电路图
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