65R190代换 65R190场效应管参数 650V储能电源应用-KIA MOS管
65R190场效应管介绍
KIA65R190这种功率MOSFET是使用KIA半导体Semi先进的超级结技术生产的。这项先进的技术经过专门定制，可最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合开关模式操作中的AC/DC功率转换，以获得更高的效率。作为一款N沟道增强型高压功率场效应管，其20A、650V的参数特点，常见应用于开关电源领域方面。
65R190场效应管参数650V-特点
RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10 V
低栅极电荷（典型70nC）
高坚固性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt功能
65R190场效应管参数650V-封装图
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