20n50场效应管参数,20n50参数代换,引脚图-KIA MOS管
KIA20N50H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正。
KIA20N50具有500V高耐压，20A漏极直流电流，低反向传输电容开关速度快，内阻低，耐冲击特性好等特点；在使用性能参数方面能够匹配型号为IRFP460的国外场效应管，也能够代换2SK2837型号的场效应管。
广泛应用于DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，逆变器（1000W）/开关电源/电焊机产品中。
20n50场效应管参数
产品型号：KIA20N50
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （连续）（lD）：20A
耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃
工作温度：+150/℃
击穿电压温度：0.5V/℃
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升时间：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封装形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
20n50场效应管特征
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的70nC）
快速切换能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
20n50场效应管引脚图
20n50场效应管参数规格书
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