24n50场效应管参数,24n50代换,引脚图 500V-KIA MOS管
24n50场效应管参数-产品介绍
KIA24N50功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产。这种先进的技术经过特别定制,可以最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有功功率因数校正。这款24A、500V低电流、高电压的MOS管是能够匹配:2SK2837、25N50两款型号,能够完美代换使用。
24n50场效应管参数-特点
RDS(ON)=0.16Ω@VGS=10V
低栅电荷
高耐用性
快速切换
雪崩测试100%
提高了dv/dt能力
24n50场效应管主要参数
产品型号:KIA24N50
工作方式:24A/500V
漏源电压:500V
栅源电压:±30V
漏电流连续:24A
脉冲漏极电流:96A
雪崩能量:1150mJ
耗散功率:290W
热电阻:40℃/W
漏源击穿电压:500V
温度系数:0.5V/℃
栅极阈值电压:2.0V
输入电容:3500 PF
输出电容:520 PF
上升时间:35 ns
封装形式:TO-3P
24n50场效应管封装
24n50场效应管参数规格书 KIA24N50H
查看及下载规格书,请点击下图。
KIA半导体专业生产MOS管场效应管厂家(国家高新技术企业)成立于2005年,公司成立初期就明确立足本土市场,研发为先导,了解客户需求,运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术,结合中国市场的特点,向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品,产品的稳定性,高性价比,良好的服务,以及和客户充分的技术,市场沟通的严谨态度,在移动数码,LCE,HID,LED,电动车,开关电源,逆变器,节能灯等领域深得客户认可。
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