900V场效应管6990A 引脚图 900V MOS管参数手册-KIA MOS管
KNX6990A 900V 18A场效应管参数：ID（A）：18A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.65mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高级平面工艺，具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于无刷直流电机驱动器、电焊机、高效开关电源等应用。封装形式：TO-247，脚位排列位GDS。
900V场效应管 6990A-特点
高级平面工艺
RDS（ON）=650mΩ（典型值）@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关损耗
加固多晶硅栅极结构
900V场效应管 6990A-应用
无刷直流电机驱动器
电焊机
高效开关电源
900V场效应管 6990A-封装图
900V场效应管 6990A-参数
KIA半导体专业生产MOS管场效应管厂家（国家高新技术企业）成立于2005年，公司成立初期就明确立足本土市场，研发为先导，了解客户需求，运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术，结合中国市场的特点，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品，产品的稳定性，高性价比，良好的服务，以及和客户充分的技术，市场沟通的严谨态度，在移动数码，LCE,HID,LED,电动车，开关电源，逆变器，节能灯等领域深得客户认可。
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