4A 1000V场效应管 43100A参数 引脚图-KIA MOS管
KNX43100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为4A；RDS (on) = 2.2mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于驱动电源，充电桩等应用。封装形式：TO-220、TO-220F、TO-252；脚位排列位GDS。
4A 1000V场效应管 43100A-特点
符合RoHS
RDS（ON），典型=2.2Ω@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
4A 1000V场效应管 43100A-应用
适配器
充电器
SMPS备用电源
4A 1000V场效应管 43100A-封装图
4A 1000V场效应管 43100A-参数
KIA半导体专业生产MOS管场效应管厂家（国家高新技术企业）成立于2005年，公司成立初期就明确立足本土市场，研发为先导，了解客户需求，运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术，结合中国市场的特点，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品，产品的稳定性，高性价比，良好的服务，以及和客户充分的技术，市场沟通的严谨态度，在移动数码，LCE,HID,LED,电动车，开关电源，逆变器，节能灯等领域深得客户认可。
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