1000V 10A电源应用 61100A场效应管 mos管参数-KIA MOS管
KNX61100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为10A；RDS (on) = 1.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于备用电源，充电桩等应用。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。
1000V 10A 61100A场效应管-特点
符合RoHS
RDS（ON），典型=2.0Ω@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
1000V 10A 61100A场效应管-应用
适配器
充电器
SMPS备用电源
1000V 10A 61100A场效应管-封装图
1000V 10A 61100A场效应管-参数
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