1200v 3a高压mos管,电源应用,42120A引脚图参数-KIA MOS管
KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1200V,漏极电流最大值为3A;RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗,低反向传输电容,开关速度快等优点,适用于适配器、充电器、SMPS备用电源等。封装形式:TO-220、TO-220F、TO-252;脚位排列位GDS。
1200v 高压mos管 42120A-特点
符合RoHS标准
RDS(ON),典型=7Ω@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
1200v 高压mos管 42120A-应用
适配器
充电器
SMPS备用电源
1200v 高压mos管 42120A-封装图
1200v 高压mos管 42120A-参数
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业,竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴,主动了解客户需求,不断研发创新,为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。