高压MOS管62150A 1500V场效应管STW21N150-KIA MOS管
高压MOS管KNX62150A：漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为11A；RDS (on) = 2.4mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于高压电源、新能源汽车电机等。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。
KNX62150A--兼备超结技术优点与1500V漏源（drain-to-source）击穿电压（breakdown voltage）的晶体管，实现更环保、更安全的电源应用，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。KNX62150A可替代1500V场效应管STW21N150。
高压MOS管62150A 1500V-产品特征
符合RoHS
RDS（开启），典型值=2.4Ω@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
高压MOS管62150A 1500V-产品应用
高压电源
电容器放电
脉冲电路
高压MOS管62150A 1500V-封装
高压MOS管62150A 1500V-参数
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