大功率MOS管7880A 27A 800V场效应管27n80-KIA MOS管
大功率高压MOS管KNK7880A：漏源击穿电压高达800V，漏极电流最大值为27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，适用于无刷电机驱动、电焊机、电源分流器、电箱等产品。封装形式：TO-264；脚位排列位GDS。
KNK7880A为N沟道27A/800V增强型VDMOSFET，采用高级平面技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化，效率更高。
场效应管7880A 27A 800V-特点
高级平面工艺
RDS（ON）=280mΩ（典型值）@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关损耗
加固多晶硅栅极结构
场效应管7880A 27A 800V-应用
无刷直流电机驱动器
电焊机
高效开关电源
场效应管7880A 27A 800V-封装
场效应管7880A 27A 800V-参数
KIA半导体MOSFET场效应管采用优质芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。来电咨询，免费送样！
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