5N50参数及代换,5N50场效应管引脚图-KIA MOS管
高压MOS管KIA5N50H最高承受电压可达500V，漏极电流最大值为5A；低内阻：1.25Ω，能够承受高电流，使得电器的效率更高，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，节能环保。适用于各种高功率应用场合，如无刷电机、安定器等。封装形式：TO-252；脚位排列位GDS。
5N50参数 场效应管500V-产品特征
RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V
符合RoHS标准
低导通电阻
低栅电荷
5N50参数 场效应管500V-应用领域
适配器
充电器
SMPS备用电源
5N50参数 场效应管500V-参数
漏源电压：500V
漏极电流：5A
功耗:100W
栅源电压:±20V
单脉冲雪崩能:260MJ
峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns
前向传导:6S
输入电容:525pF
输出电容：64pF
反向转移电容：12pF
反向恢复时间：400nS
5N50参数 场效应管500V-规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
5N50场效应管500V是一款适用于无刷电吹风的高性能MOS管，其高电压承受能力、低内阻和低开关损耗等特点能够有效地提高无刷电吹风的性能和使用寿命，同时还具有过热保护功能，保障了无刷电机的安全运行。
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