3406场效应管参数引脚图 60V80A场效应管-KIA MOS管
MOS管KCX3406A：漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。改进的工艺和单元结构经过特别定制，以最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能。广泛应用于二次同步整流器、逆变器系统的功率管理、无刷电机、LED电源等产品。封装形式：DFN5*6、TO-252。
3406场效应管参数 60V80A-特点
80A 60V，RDS（ON）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V
SGT mosfet
低栅极电荷
低Crss
快速切换
改进的dv/dt功能
3406场效应管参数 60V80A-封装
3406场效应管参数 60V80A-参数
KIA半导体MOSFET场效应管采用优质芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。来电咨询，免费送样！
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
