28n50场效应管参数,28n50代换,28A 500V,逆变器-KIA MOS管
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28n50场效应管参数 28A 500V
高压大功率MOS管KIA28N50漏源击穿电压高达500V，漏极电流最大为28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，适用于车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等。封装形式：TO-3P、TO-220F。
28n50场效应管参数 28A 500V-优势
RDS（ON）=0.16Ω（典型值）@VGS=10V
低栅极电荷
低Crss
100%雪崩Aested
提高dv/dt能力
符合RoHS
28n50场效应管参数 28A 500V-应用
LED电源
手机充电器
备用电源
28n50场效应管参数 28A 500V-封装图
28n50场效应管参数 28A 500V-参数
28n50场效应管参数 28A 500V功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产，可以最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。欢迎来电咨询，免费送样！
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