NCE0115K中文资料,nce0115k参数,nce0115k代换6610A-KIA MOS管
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NCE0115K中文资料
NCE0115KNCE新洁能100V 15A增强型功率NMOS
封装：TO252
NCE0115K特性
VDS=100V，ID=15A
RDS（on）<100mΩ@ VGS=10V（typ：80mΩ)
RDS（on）<110mΩ@ VGS=4.5V（typ：85mΩ)
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KNX6610A是最高性能的N沟道MOSFETS，具有极高的高单元密度。6610A采用KIA先进的平面条纹TRENCH技术生产。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。KNX6610A漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为15A ,RDS(on) =83mΩ(typ)@VGS=10V，能够完美代换nce0115k型号参数场效应管，6610A价格优惠，现货直销。
nce0115k参数,nce0115k代换6610A-特征
RDS（ON）=83mΩ（典型值）@VGS=10V
极低导通电阻RDS（On）
低Crss
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt功能
nce0115k参数,nce0115k代换6610A-应用
PWM应用
电源管理
负载开关
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nce0115k参数,nce0115k代换6610A封装图
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