晶体三极管,晶体三极管的三种工作状态-KIA MOS管
三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，由两个PN结组合而成，有两种载流子参与导电，是一种电流控制电流源器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管主要应用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三极管的结构
三极管的内部结构为两个PN结，由三层半导体区形成的。三极管有三个电极、三个区、两个PN结。
三个区：发射区、基区和集电区，特点是
(1) 基区很薄，且掺杂浓度低；
(2) 发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多；
(3) 集电结的面积比发射结大。
两个PN结：处在发射区和基区交界处的PN结称为发射结；处在基区和集电区交界处的PN结称为集电结。
三个电极：从三个区引出的引脚分别称为发射极，基极和集电极，用符号e、b、c来表示。
按照晶体三极管扩散区半导体材料不同，可分为NPN型晶体三极管和PNP型晶体三极管，如图1所示。
晶体三极管有三个掺杂不同的扩散区和两个PN结，三端分别称为发射极E(Emitter)、基极B(Base)和集电极C(Collector)。发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结。晶体管电路符号中的箭头方向代表PN结的方向(即发射极的电流方向)。
采用平面工艺制成NPN型硅材料晶体三极管的结构如图所示。
晶体三极管位于中间的P区域称为基区，其区域很薄且杂质浓度很低;位于上层的N+区为发射区，掺杂浓度很高;位于下层的N和N+两种掺杂的N区是集电区，面积很大。因此晶体三极管为非对称器件且器件的外特性与三个区域的上述特点紧密相关。
晶体三极管的三种工作状态
在数字电路中，三极管用作开关时工作在截止状态和饱和状态，依次来实现控制负载回路的目的。
三极管具有截止状态、放大状态和饱和状态等三个状态，这主要取决于三极管的PN结导通电压。以NPN为例介绍。
截止状态
当发射结的电压小于PN结的导通电压时，基极电流为零，流过集电极和发射极的电流为零，三极管不具有放大信号的作用,这时候集电极和发射极之间处于断路状态，这个状态就成为三极管的截止状态。三极管用作开关时，处于断开状态，就是工作在截止状态。三极管的外形和工作区域如下图所示。
放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
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