knp6140,knp6140a参数,knp6140a代换,led照明-KIA MOS管
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knp6140参数引脚图资料
6140S N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。
knp6140漏源击穿电压400V, 漏极电流最大值为11A ,RDS(on)=0.53mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-220，具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗，卓越高效，KIA半导体原厂直销。
knp6140特性：
11A，400V，RDS（开启）典型值=0.53Ω@VGS=10 V
低栅极电荷（典型15.7nC）
高坚固性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt功能
knp6140参数详情
KIA半导体专业生产MOS管场效应管厂家（国家高新技术企业）成立于2005年，公司成立初期就明确立足本土市场，研发为先导，了解客户需求，运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术，结合中国市场的特点，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品，产品的稳定性，高性价比，良好的服务，以及和客户充分的技术，市场沟通的严谨态度，在移动数码，LCE,HID,LED,电动车，开关电源，逆变器，节能灯等领域深得客户认可。
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