场效应管型号参数字母含义,mos管参数字母-KIA MOS管

场效应管mos管参数字母含义

Cds漏-源电容

Cdu-漏-衬底电容

Cgd-栅-源电容

Cgs-漏-源电容

Ciss-栅短路共源输入电容

Coss-栅短路共源输出电容

Crss-栅短路共源反向传输电容

D-占空比（占空系数，外电路参数）

di/dt-电流上升率（外电路参数）

dv/dt-电压上升率（外电路参数）

ID-漏极电流（直流）

IDM-漏极脉冲电流

ID（on）-通态漏极电流

IDQ-静态漏极电流（射频功率管）

IDS-漏源电流

IDSM-最大漏源电流

IDSS-栅-源短路时，漏极电流

IDS（sat）-沟道饱和电流（漏源饱和电流）

IG-栅极电流（直流）

IGF-正向栅电流

IGR-反向栅电流

IGDO-源极开路时，截止栅电流

IGSO-漏极开路时，截止栅电流

IGM-栅极脉冲电流

IGP-栅极峰值电流

IF-二极管正向电流

IGSS-漏极短路时截止栅电流

IDSS1-对管第一管漏源饱和电流

IDSS2-对管第二管漏源饱和电流

Iu-衬底电流

Ipr-电流脉冲峰值（外电路参数）

gfs-正向跨导

Gp-功率增益

Gps-共源极中和高频功率增益

GpG-共栅极中和高频功率增益

GPD-共漏极中和高频功率增益

ggd-栅漏电导

gds-漏源电导

K-失调电压温度系数

Ku-传输系数

L-负载电感（外电路参数）

LD-漏极电感

Ls-源极电感

rDS-漏源电阻

rDS（on）-漏源通态电阻

rDS（of）-漏源断态电阻

rGD-栅漏电阻

rGS-栅源电阻

Rg-栅极外接电阻（外电路参数）

RL-负载电阻（外电路参数）

R（th）jc-结壳热阻

R（th）ja结环热阻

PD-漏极耗散功率

PDM-漏极最大允许耗散功率

PIN-输入功率

POUT-输出功率

PPK-脉冲功率峰值（外电路参数）

to（on）-开通延迟时间

td（off）-关断延迟时间

ti-上升时间

ton-开通时间

toff-关断时间

tf-下降时间

trr-反向恢复时间

Tj-结温

Tjm-最大允许结温

Ta-环境温度

Tc-管壳温度

Tstg-贮成温度

VDS-漏源电压（直流）

VGS-栅源电压（直流）

VGSF-正向栅源电压（直流）

VGSR-反向栅源电压（直流）

VDD-漏极（直流）电源电压（外电路参数）

VGG-栅极（直流）电源电压（外电路参数）

Vss-源极（直流）电源电压（外电路参数）

VGS（th）-开启电压或阀电压

V（ BR）DSS-漏源击穿电压

V（BR）GSS-漏源短路时栅源击穿电压

VDS（on）漏源通态电压

VDS（sat）-漏源饱和电压

VGD-栅漏电压（直流）

Vsu-源衬底电压（直流）

VDu-漏衬底电压（直流）

VGu-栅衬底电压（直流）

Zo-驱动源内阻

n-漏极效率（射频功率管）

Vn-噪声电压

alD-漏极电流温度系数

ards-漏源电阻温度系数

联系方式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。