28n50场效应管参数,20N50,24N50场效应管代换-KIA MOS管
28n50场效应管参数代换,KIA28N50H
KIA28N50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低栅极电荷、低Crss，最小化开关损耗，以及100%雪崩Aested、提高dv/dt能力、符合RoHS，良好的开关特性能够在车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等应用中表现出色。KIA28N50参数可匹配其他品牌20N50、24N50、28N50型号替代使用，封装形式：TO-220F、TO-3P。
28n50场效应管参数代换,KIA28N50H参数
漏源电压：500V
漏极电流：28A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.16Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：80A
雪崩能量单脉冲：1110MJ
总功耗：50/138W
总栅极电荷：45nC
输入电容：2555PF
输出电容：355PF
开通延迟时间：46nS
关断延迟时间：105nS
上升时间：118ns
下降时间：62ns
28n50场效应管参数代换,KIA28N50H规格书
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